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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]金属硅化物制造方法-CN201210118972.1有效
  • 罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-04-20 - 2013-10-30 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种金属硅化物制造方法，包括步骤：在含硅衬底上形成特征线条；在含硅衬底和特征线条上形成镍基金属层，其中镍基金属层的厚度大于由源漏结深确定的形成镍基金属硅化物所需的最小厚度；执行第一退火，使得镍基金属层与含硅衬底反应形成均匀厚度的第一镍基金属硅化物；去除未反应的金属后，执行第二退火，使得第一镍基金属硅化物转化为均匀厚度的第二镍基金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过提高金属薄层的厚度，利用金属硅化物自对准工艺并控制工艺参数，分两步退火形成了具有均匀厚度的金属硅化物，从而均匀地降低了源漏电阻，进一步提高了器件的性能。
  • 金属硅制造方法
  • [发明专利]一种粒子钢中金属铁含量的测定方法-CN202210316034.6在审
  • 张继明;朱春要;胡显军;顾晔;马红卫 - 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司
  • 2022-03-28 - 2022-06-24 - G01N21/31
  • 本发明属于钢铁中金属元素含量测定技术领域，具体涉及一种粒子钢中金属铁含量的测定方法。该测定方包括(1)待测粒子钢和金属镍经熔融、浇铸后得到待测镍基金属；(2)选择已知铁质量分数的镍基金属标准样品，利用火花源原子发射直读光谱仪得到镍基金属标准样品中铁与镍的光强度比值，建立镍基金属中铁质量分数与所述光强度比值的标准曲线；(3)利用标准曲线获得待测镍基金属中铁的质量分数，进而得到待测粒子钢中金属铁的质量分数。该方法克服了现有技术在测定粒子钢中金属铁含量时偏析大的问题，以及在测定金属铁含量时得到的测定值实际是金属铁和杂质总量的问题。
  • 一种粒子金属含量测定方法
  • [发明专利]一种镍基金属管表面钝化方法-CN202210657025.3在审
  • 李浩文;汪小憨;杨卫斌 - 中国科学院广州能源研究所
  • 2022-06-10 - 2022-09-02 - C23C8/16
  • 本发明公开了一种镍基金属管表面钝化方法。一种镍基金属管表面钝化方法，包括如下步骤：将镍基金属管进行热氧化预处理使镍基金属管内外表面形成惰性氧化膜，经热预处理后的镍基金属管置于还原性气氛中，加入碳源在惰性氧化膜表面生长碳层，实现镍基金属管表面钝化本发明通过高温氧化改变金属结构，使得起保护作用的氧化铬等惰性氧化物覆盖在表面，同时结合结焦生成一定致密性和厚度的碳层进一步覆盖催化位点，填补因氧化处理产生的空隙，降低表面粗糙度，实现更佳的抑焦性能。
  • 一种基金表面钝化方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110021062.7有效
  • 罗军;赵超 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-01-18 - 2012-07-18 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括含硅的衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构以及位于栅极结构两侧的隔离侧墙，其特征在于：由镍基金属硅化物构成源漏区，镍基金属硅化物中具有抑制镍金属扩散的掺杂离子；镍基金属硅化物/沟道区的界面处还具有掺杂离子的聚集区，聚集区位于隔离侧墙下方且未进入所述沟道区。分布在镍基金属硅化物里面和聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子可以阻止镍基金属硅化物的横向生长，因此可防止源漏穿通或栅极泄漏电流，从而提高器件可靠性，进一步提高了产品良率。此外，聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子还可以降低肖特基势垒，从而进一步提高器件的响应速度。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110020536.6有效
  • 罗军;赵超 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-01-18 - 2012-07-18 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括含硅的衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构以及位于栅极结构两侧的隔离侧墙，源漏区具有镍基金属硅化物，其特征在于：在镍基金属硅化物中具有抑制镍金属扩散的掺杂离子；镍基金属硅化物/沟道区的界面处也具有掺杂离子的聚集区，聚集区位于隔离侧墙下方且未进入沟道区。分布在镍基金属硅化物里面和聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子可以阻止镍基金属硅化物的横向生长，因此可防止源漏穿通或栅极泄漏电流，从而提高器件可靠性，进一步提高了产品良率。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]一种新型氧化物阴极-CN201420169609.7有效
  • 曾河平;曾嵘 - 江西景光电子有限公司
  • 2014-04-10 - 2014-09-03 - H01J1/14
  • 本实用新型公开了一种新型氧化物阴极，它涉及电子元器件技术领域，它包含阴极基金属层、烧结镍粉层、镍盐层和碳酸盐层；阴极基金属层的上部设置有烧结镍粉层，烧结镍粉层的上部设置有镍盐层，镍盐层的上部设置有碳酸盐层它通过涂层中的镍粉与镍质基金属高温激活过程中粘结牢固，涂层中的碳酸盐与镍粉之间形成了一个立体的接触，提高涂层与基金属的附着力，降低涂层与基金属之间中间层的电阻，防止涂层脱落，极间短路，降低中间层电阻，提高耐压水平
  • 一种新型氧化物阴极
  • [发明专利]半导体器件制造方法-CN201110391447.2有效
  • 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-11-30 - 2013-06-05 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得衬底中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入，将掺杂离子注入富镍相金属硅化物中；执行第二退火，使得富镍相金属硅化物转化为镍基金属硅化物源漏，并同时在镍基金属硅化物源漏与衬底的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，提高了掺杂离子的固溶度并形成了较高浓度的掺杂离子分离凝结区，从而有效降低了镍基金属硅化物与硅沟道之间的肖特基势垒高度，提高了器件的驱动能力
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件制造方法-CN201110419334.9无效
  • 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-12-15 - 2013-06-19 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；至少在源漏区上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得源漏区中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入，将掺杂离子注入富镍相金属硅化物中；执行第二退火，使富镍相金属硅化物转化为镍基金属硅化物，同时在镍基金属硅化物与源漏区的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。依照本发明方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，提高了掺杂离子的固溶度并形成了较高浓度的掺杂离子分离凝结区，从而有效降低了镍基金属硅化物与源漏区金属-半导体接触的肖特基势垒高度，降低了接触电阻
  • 半导体器件制造方法
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